جهاد دانشگاهی-پژوهشکده توسعه صنایع شیمیایی ایران نشریه شیمی و مهندسی شیمی ایران 1022-7768 35 3 2016 10 22 Calculation of Structural and Electronic Properties of the Semi-Conductor MgSe in Wurtzite Hexagonal(B4) Phase by Using DFT محاسبة ویژگی های الکترونی و ساختاری نیم رسانای منیزیم سلنید(MgSe) در فازهگزاگونال ورتسایت (B4) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی (DFT) 99 107 23747 FA حمدا.. صالحی اهواز، دانشگاه شهید چمران، گروه فیزیک حسن نظری اهواز، دانشگاه شهید چمران، گروه فیزیک Journal Article 2015 03 11 In this paper, we investigate structure and electronic properties such as lattice constant, bulk modules, compression, energy band structure also states and electronic density of the semi-conductor MgSe in hexagonal phase for B4 structure .We Calculate those mentioned above by applying the Full Potential-Linearized Augmented Plane Wave (FP-LAPW) method in the framework of Density Functional Theory (DFT) and by applying Wein2k-08 package. The obtained results showed the existence of energy gap straight 2.7 eV in Γ point. And also an ionic feature for this compound that is one of the properties of the II-IV group and being compatible enough with other experimental and theoretical results. در این مقاله ویژگی‌ های ساختاری و الکترونی ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم پذیری،بهینه‌ سازی حجم‌، ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ‌ها و چگالی ابرالکترونی نیم‌رسانای منیزیم سلنید (MgSe) درفازهگزاگونال برای ساختارB4 مورد بررسی قرار می ‌گیرد. محاسبه‌ ها بااستفاده ازروش‌امواجتخت تقویت شدۀخطیباپتانسیل کامل، درچارچوبنظریۀتابعیچگالی (DFT) وبااستفادهازنرمافزار ien2kصورتگرفت.نتیجه‌هایبه‌دستآمدهیک گاف نواری مستقیم eV 7/2در نقطۀرا نشان می ‌دهد. هم‌چنین یک خصوصیت یونی را برایا ین ترکیب نشان می دهد، که از ویژگی های ترکیب ‌های II-IV است وبا نتیجه‌ های تجربی و نظری به‌ دست آمده از روش ‌های دیگران سازگاری خوبی دارد.

https://www.nsmsi.ir/article_23747_8708cc4b4fd657032eddc86555279921.pdf